Transphorm és a Weltrend Semiconductor két új GaN rendszerbe integrált (SiP) termékek bemutatták, melyek az első SiP termékcsalád részét alkotják a Transphorm SuperGaN platformján. A SiP-ek, melyek WT7162RHUG24B és WT7162RHUG24C néven futnak, a Weltrend magas frekvenciájú többüzemű Flyback PWM vezérlőjét integrálják a Transphorm SuperGaN FET-jeivel. Ezeket az eszközöket USB PD vagy programozható hálózati adapter vezérlőkkel párosítva teljes adapter megoldást szállítanak.
Az egyik előnye ezeknek az új SiP-eknek az, hogy csökkentik az alkatrészlista költségét az end-user gyártók számára, miközben gyors töltési képességeket és nagyobb energia kimenetet biztosítanak. A gyártók arra is törekednek, hogy „mindenhez passzoló” töltőket fejlesszenek ki kisebb és könnyebb formátumban, és ezek a SiP-ek kielégítik ezt az igényt.
A Transphorm SuperGaN platform számos előnnyel jár, beleértve a robosztusságot, megbízhatóságot és növekedett energia sűrűséget a hagyományos szilíciumhoz képest. Amikor kombinálják a Weltrend SiP tervezéseivel, ezek az előnyök egy plug-and-play megoldást eredményeznek, amely felgyorsítja a tervezési folyamatokat és csökkenti a formátum méretét.
Ezek az új SiP-ek ideálisak a mobil/IoT eszközök, mint például okostelefonok, táblagépek, laptopok, fejhallgatók, drónok, hangszórók és kamerák számára használt magas teljesítményű, alacsony profilú USB-C töltők számára. Lehetőséget biztosítanak a vásárlók számára, hogy hatékonyabban tervezzenek tápegységeket kevesebb alkatrésszel, köszönhetően az újszerű funkcionalitásoknak, mint az UHV völgykövető töltési mód, az adaptív OCP kompenzáció és az adaptív környezetbarát mód vezérlés.
A GaN energiasemkóndok piaca várhatóan nőni fog a következő években. A Market Research Future jelentése szerint a globális GaN energiasemkóndok piaca várhatóan el fogja érni a 1,9 milliárd dolláros értéket 2023-ban, a prognózis időszaka alatt pedig 29,2%-os éves növekedési rátával.
Azonban a potenciális növekedés ellenére kihívások és viták társulnak a GaN energiasemkóndokokhoz. Az egyik kihívás a GaN technológia magas költsége a hagyományos szilícium-alapú technológiákhoz képest. Ez a költség akadályt jelenthet a széles körű elfogadásnak, különösen ár-érzékeny piacokon.
Egy másik kihívás a GaN gyártókapacitás korlátozott rendelkezésre állása. Jelenleg csak néhány gyártó rendelkezik a képességgel a GaN energiasemkóndok nagy számban történő gyártására. Ez a korlátozott kapacitás ellátási lánc-korlátokat és növekedett szállítási időket okozhat az ügyfelek számára.
Kontroversziális téma az is a GaN környezetvédelmi hatásai körül. Bár a GaN technológia magas hatékonyságot és növekedett energia sűrűséget kínál, a GaN anyagok előállítása toxikus vegyi anyagokat igényel. Ezeknek a vegyi anyagoknak a megfelelő kezelése és megsemmisítése kritikus fontosságú a potenciális környezeti kockázatok minimalizálása érdekében.
Összességében a Transphorm és a Weltrend Semiconductor által bemutatott új GaN SiP-ek a piaci igényekre reagálnak, amelyek szerint csökkentett BOM-ot, gyors töltési képességeket és nagyobb energia kimenetet kínálnak az okostelefonok és IoT eszközök hordozható töltőihez. A Transphorm SuperGaN platform előnyei, összekapcsolva a Weltrend SiP-tervezésekkel, egyszerűsített és hatékony megoldást kínálnak a vásárlók számára. Azonban továbbra is fennállnak a költséggel, a korlátozott gyártási kapacitással és a környezeti aggodalmakkal kapcsolatos kihívások.
További információkért a Transphorm cégről keresse fel weboldalukat: website.
További információkért a Weltrend Semiconductorról látogassa meg weboldalukat: website.