Transphorm y Weltrend Semiconductor presentan nuevos sistemas en paquete GaN

Author:

Transphorm y Weltrend Semiconductor han presentado dos nuevos Sistemas en Paquete (SiPs) GaN que forman parte de la primera familia de productos SiP basada en la plataforma SuperGaN de Transphorm. Los SiPs, denominados WT7162RHUG24B y WT7162RHUG24C, integran el controlador PWM Flyback de alta frecuencia multi-modo de Weltrend con los FET SuperGaN de Transphorm. Estos dispositivos se pueden emparejar con controladores de adaptadores de energía USB PD o programables para ofrecer una solución de adaptador completa.

Una de las ventajas de estos nuevos SiPs es su capacidad para reducir la lista de materiales (BOM) para los fabricantes de productos finales, al tiempo que proporcionan capacidades de carga rápida y mayores salidas de energía. Los fabricantes también buscan desarrollar cargadores «universales» con múltiples puertos y conexiones en un factor de forma más pequeño y ligero, y estos SiPs satisfacen esa demanda.

La plataforma SuperGaN de Transphorm ofrece varias ventajas, incluida su robustez, confiabilidad y mayor densidad de potencia en comparación con el silicio. Cuando se combinan con los diseños de SiP de Weltrend, estas ventajas resultan en una solución lista para usar que acelera los procesos de diseño y reduce el tamaño del factor de forma.

Estos nuevos SiPs son ideales para adaptadores de energía USB-C de alto rendimiento y perfil bajo utilizados en dispositivos móviles/IoT como teléfonos inteligentes, tabletas, computadoras portátiles, auriculares, drones, altavoces y cámaras. Ofrecen a los clientes la capacidad de diseñar fuentes de alimentación de manera más eficiente y con menos componentes, gracias a funcionalidades innovadoras como el modo de carga de seguimiento de valle UHV, la compensación adaptativa OCP y el control adaptativo de modo verde.

Para obtener más información sobre Transphorm, visita su sitio web.
Para obtener más información sobre Weltrend Semiconductor, visita su sitio web.

Deja una respuesta

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *